客服一：2822481256

客服二：2327982515

邮箱一：sales@hcmems.com

邮箱二：xwb@hcmems.com

联系电话：13672222397
首页
关于瀚宸
原料及耗材
金属蒸镀颗粒/金属靶材 化合物蒸镀颗粒/靶材 基片衬底 电子化学品
MEMS微纳加工
MEMS器件
合作伙伴
新闻动态
公司新闻 行业动态
联系我们

MEMS微纳加工方案及代工

抛光

减薄

打孔

切割

掺杂

键合

刻蚀

镀膜

光刻

耗材及原料供应

金属蒸镀颗粒/金属靶材

化合物蒸镀颗粒/靶材

基片衬底

电子化学品

关于瀚宸新材

专业、专注、担当、创新

南昌瀚宸新材料科技有限公司，位于江西省南昌市国家高新开发区内，是一家以研发、生产、销售各类镀膜材料的公司。公司主营的产品有金属及合金靶材、陶瓷靶材、蒸发镀膜料、基片衬底、电子化学品，微纳加工等并积极从事下游膜技术的开发及应用。

我司材料应用于航天航空、 工业镀膜 、电子工程、光学光电和通讯储存等领域，积累了良好的口碑和声誉。

热诚欢迎广大客户来我司考察洽谈！

2016

年

公司成立于2016年

63

%

研发人员占比

120

+

公司产品种类

180

+

仪器设备180台套

1200

㎡

实验室占地面积1200㎡
了解更多

原料及耗材

应用于航天航空、 工业镀膜 、电子工程、光学光电和通讯储存等领域
金属蒸镀颗粒/金属靶材

高纯金属/贵金属/难溶合计靶材/金属形状加工
化合物蒸镀颗粒/靶材

化合物/氧化物靶材/化合物靶材
基片衬底类

硅基片/锗基片/蓝宝石基片/氮化镓基片
电子化学品类

刻蚀液类/光刻胶/显影液
金属蒸镀颗粒
品名分子式熔点/℃沸点/℃密度 /（g/cm3）纯度颗粒尺寸/mm
铝颗粒Al66024672.704N ,5N3*3 ,2*2 或定制
钛颗粒Ti166032874.543N 4N3*3,5*2 或定制
铬颗粒Cr185726727.193N51-10 不规则颗粒
钴颗粒Co149528708.93N53*3，不规则颗粒
镍颗粒Ni145327328.93N 4N3*3
铜颗粒Cu108425678.964N 5N3*3
锌颗粒Zn4199077.134N3-8 不规则颗粒
锗颗粒Ge93728305.325N锭或不规则颗粒
钼颗粒Mo2617461210.224N不规则颗粒
铟颗粒In15620737.315N0.3-0.5 ,0.6-0.8 1-3
锡颗粒Sn23222707.314N2-3，不规则颗粒
金颗粒Au1064280719.324N 2*2 ,3*3 或丝状
银颗粒Ag961216310.54N 2*2 ,3*3 或丝状
铂颗粒Pt1772382721.453N52*2 ,3*3 或丝状
金属靶材
品名分子式熔点/℃密度 /（g/cm3）纯度加工形状
镁靶材Mg6491.734N圆片/方形 特殊按图加工
铝靶材Al6602.704N ,5N圆片/方形 特殊按图加工
钛靶材Ti16604.543N 4N圆片/方形 特殊按图加工
钒靶材V19026.113N5圆片/方形 特殊按图加工
铬靶材Cr18577.193N5圆片/方形 特殊按图加工
锰靶材Mn12447.433N5圆片/方形 特殊按图加工
铁靶材Fe15357.873N圆片/方形 特殊按图加工
钴靶材Co14958.93N5圆片/方形 特殊按图加工
镍靶材Ni14538.93N 4N圆片/方形 特殊按图加工
铜靶材Cu10848.964N 5N圆片/方形 特殊按图加工
锌靶材Zn4197.134N圆片/方形 特殊按图加工
锗靶材Ge9375.325N圆片/方形 特殊按图加工
钇靶材Y15264.473N圆片/方形 特殊按图加工
锆靶材Zr18526.512N7/3N5(结晶)圆片/方形 特殊按图加工
铌靶材Nb24688.574N圆片/方形 特殊按图加工
钼靶材Mo261710.224N圆片/方形 特殊按图加工
铟靶材In1567.315N圆片/方形 特殊按图加工
锡靶材Sn2327.314N圆片/方形 特殊按图加工
锑靶材Sb6306.684N圆片/方形 特殊按图加工
铪靶材Hf222713.312N7/3N5(结晶）圆片/方形 特殊按图加工
钽靶材Ta299616.653N5圆片/方形 特殊按图加工
钨靶材W340719.353N5圆片/方形 特殊按图加工
铋靶材Bi2719.754N圆片/方形 特殊按图加工
金靶材Au106419.324N圆片/方形 特殊按图加工
银靶材Ag96110.54N圆片/方形 特殊按图加工
铂靶材Pt177221.453N5圆片/方形 特殊按图加工
化合物蒸镀颗粒
品名分子式颜色蒸发度/℃密度/（g/cm3）纯度折射率550nm透光范围nm蒸发源应用膜系颗粒尺寸/mm
硫化锌ZnS淡黄色11004.199.992.3-2.4350-1450E红外  滤光1-3，  3-10，
硒化锌ZnSe橘黄色透明15205.2799.992.58500-2200E，B(Ta，Mo)红外  偏振不规则块状
一氧化硅SiO黑色17002.1399.99%1.55800-8000B(Ta Mo W)增透  保护1-10，  10-20
二氧化硅SiO2无色透明17002.299.99%1.46200-2500E增透  多层1-5
二氧化钛TiO2黑色/白色22004.2999.99%2.3-2.5350-14000E增透  多层1-5
五氧化三钛Ti3O5茶黑色1500-22004.8999.99%2.05400-12000E,B(Ta)增透  多层1-5
二氧化锆ZrO2黑/白色27155.8999.99%1.97-2.05250-9000E增透  多层1-5
三氧化二铝Al2O3白色2000-22003.999.99%1.63200-5000E增透  多层1-3
二氟化镁MgF2白色1300-16003.1499.99%1.38200-7000E B增透  多层1-3
五氧化二铌Nb2O5黑色17004.4799.99%2.3350-9000E增透  多层1-4
五氧化二钽Ta2O5黑色19508.299.99%2.1400-7000E增透  多层1-3 2-4
三氧化二钇Y2O3白色27005.0199.99%1.87400-8000E多层1-3 2-4
钛酸镧La2Ti2O7黑色1900/99.99%1.95-2.1360-7000E增透  多层1-4
三氧化二铬Cr2O3绿色24505.2199.99%2.41200-1000E导电膜1-4
一氧化钛TiO灰色18004.8999.99%2.3-2.5400-12000E B增透  多层1-5
氧化铟锡ITO灰黑1900/99.99%2.0400-1000E导电膜圆柱/颗粒
化合物靶材
合金系列AlCu, AlCr, AlMg, AlSi, AlSiCu, AlAg, AlV, CaNiCrFe, CaNiCrFeMoMn, CeGd, CeSm, CrSi, CoCr, CoCrMo, CoFe,CoFeB, CoNi, CoNiCr, CoPt, CoNbZr, CoTaZr, CoZr, CrV, CrB, CrSi, CrCu, CuCo, CuGa, CuIn, CuNi, CoNiPt, CuZr, DyFe,DyFeCo, FeB, FeC, FeMn, GdFe, GdFeCo, HfFe, IrMn, IrRe, InSn, MoSi, NiAl, NiCr, NiCrSi, NdDyFeCo, NiFe, NiMn, NiNbTi,NiTi, NiV, SmCo, AgCu, AgSn, TaAl, TbDyFe,TbFe,TbFeCo, TbGdFeCo, TiAl, TiNi, TiCr,WRe, WTi, WCu, ZrAl, ZrCu, ZrFe,ZrNb, ZrNi, ZrTi, ZrY, ZnAl, ZnMg采用高纯单质金属，熔炼或粉末冶金工艺，后经机械加工处理成型，表面车加工磨光
公差：+/-0.2mm		规格：圆片/方型尺寸根据客户要求定
制
硼化物靶材Cr2B, CrB, CrB2, Cr5B3, FeB, HfB2, LaB6, Mo2B, Mo2B5, NbB,
NbB2, TaB, TaB2, TiB2,W2B, WB, VB, VB2, ZrB2		采用高纯粉末，粉末热压工艺，后经机械加工处理成型提供靶材绑定服务
公差：+/-0.2mm		规格：圆片/方型尺寸根据客户要求定
制
碳化物靶材B4C, Cr3C2, HfC, Mo2C, NbC, SiC, TaC, TiC, WC, W2C, VC, ZrC
氮化物靶材AlN, BN, GaN, HfN, NbN, Si3N4, TaN, TiN, VN, ZrN
氧化物靶材Al2O3, Sb2O3, ATO, BaTiO3, Bi2O3, CeO2, CuO, Cr2O3, Dy2O3, Er2O3, Eu2O3, Gd2O3, Ga2O3, GeO2, HfO2,Ho2O3, In2O3, ITO, Fe2O3, Fe3O4, La2O3, PbTiO3, PbZrO3, LiNbO3, Lu3Fe5O12, Lu2O3, MgO, MoO3, Nd2O3, Pr6O11, Pr(TiO2) 2, Pr2O3, Sm2O3, Sc2O3, SiO2, SiO, SrTiO3, SrZrO3, Ta2O5, Tb4O7, TeO2, ThO2, Tm2O3, TiO2, TiO, Ti3O5, Ti2O3,SnO2, SnO
WO3, V2O5, YAG, Y3Al5O12, Yb2O3, Y2O3, ZnO  等
硅基片 Si
晶体结构面心立方
熔点1420°
密度2.4g/cm3
晶型N/P/本征
晶向<100>，<110>,<111>
电阻率0.001-0.1 Ω .cm ，   0.1-1 Ω .cm ，   1-10
Ω .cm ，    10-50 Ω .cm    ，    100-1000
Ω.cm，  >1000Ω.cm  ，>10000Ω.cm
氧含量≤（1-1.8）*1018cm3
碳含量≤5*1016
尺寸直径： 1 英寸，2 英寸，3 英寸，4 英寸  ，
6 英寸等
厚度：0.3-0.5mm       1mm
可按照客户需求定制特殊尺寸基片
抛光单面或双面抛光

包装		1 盒 25 片，特殊尺寸 100 级洁净袋
锗基片 Ge 99.999%
生长方法提拉法
晶体结构立方
密度5.323g/cm3
熔点937.4°
掺杂物质不掺杂  掺Sb  掺 In 或Ga
类型N/P
电阻率0.05Ω.cm 0.05-0.1Ω.cm  ＞35 Ω.cm
尺寸直径：2 英寸  ，3 英寸，  4 英寸
厚度：0.5mm，1mm  ，  2mm
晶相<100>,<110><111>
包装100 级洁净袋
蓝宝石基片
晶体结构六方晶系
熔点2040°
密度3.98g/cm3
晶型A R M C
晶向<11-20>，<1-102>,<10-10><0001>
热导率0.055（23℃）0.040（77℃）
热膨胀系数7.5*10-6
介电常数9.4 @300K    at A axis ~ 11.58@ 300K at
C axis
尺寸10×3,10×5，10×10,15×15，20×15，20
×20，可按照客户需求定制特殊尺寸基
片
抛光单面或双面抛光
表面粗糙度Ra<5Å（5×5μm）
包装Packaged   in  a  class  100  clean   room environment, in single wafer containers,
under a nitrogen atmosphere.
氮化镓基片
晶体取向C-axis(0001) ± 0.5°
导电类型N 型
电阻率< 0.5 Ω·cm
位错密度Less than 5x106 cm-2
有效面积大于 90%
尺寸10×10.5，14*15，厚度：300,350,400um
可按照客户需求定制特殊尺寸基片
抛光

Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished

Back Surface: Fine ground

包装Packaged   in  a  class  100  clean   room
environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.
刻蚀液类
品牌产地品名型号应用
TRANSENE美国镍刻蚀液TFB标准镍蚀刻液用于蒸镀镍薄膜
TFG高纯蚀刻液用于电沉积镍薄膜，与铜、砷化镓及其他三五族化合物相适应
TYPE-1高纯蚀刻液用于镍、镍铁合金及某些不锈钢
金刻蚀液TFA高纯度、低钠、0.2um 过滤的蚀刻液可用于半导体和微电子领域，蚀刻金和镍。
TFAC选择性的蚀刻液可用于砷化镓及其他三五族金属间化合物和半导体
GE-8148选择性的蚀刻液可在镍膜使用，较快的蚀刻速率。可消除在种子层快速的侧向蚀刻。

GE-8110控制蚀刻速度，可在镍膜使用。
GE-8111低pH 值，慢蚀刻速率，与镍相适应。
金银清洗液使用蚀刻液前预清洗
镍铬刻蚀液TFN最小化的底切、优异的精细线条控制，一致化操作
银刻蚀液TFS选择性的银蚀刻液，与负性及正性光刻胶相适合，用于薄膜微电子开发电路元件
铬刻蚀液1020蚀刻速率快、最小化底切，适合于高精度光刻掩膜版蚀刻
1020AC蚀刻速率慢以消除底切，具有广泛的相适性
CRE-473与铜、镍、金以及钼薄膜相适应
CE-5M理想的高精度光刻掩膜版蚀刻液
TFE用于铬-硅薄膜，与铜薄膜相适应
CE-8002-A铬蚀刻液 CE-8002-A 是铈铵/  醋酸基蚀刻液，用于铬基板蚀刻，蚀刻速度慢而没有底切。通常室温下蚀刻时间 20-60 秒。
CE-8001-N铬蚀刻液 CE-8001-N 是硝酸铈铵/  硝酸基蚀刻液，用于所有类型的铬基板蚀刻，蚀刻速度由基板中铬密度和工艺条件决定。通常室温下蚀刻时间 15-55 秒。这种蚀刻液也有添加了表面活性剂的铬蚀刻液 CE-8001-NS 供应
钌蚀刻液RU-44钌蚀刻液 RU-44 是硝酸铈铵/  硝酸基蚀刻液，用于所有类型的 蒸镀钌薄膜的蚀刻。蚀刻速度由基板中钌密度和工艺条件决定。通常室温下蚀刻时间 15-55 秒。这种蚀刻液也有添加了表面活性剂的钌蚀刻液 RU-44S 供应。钌蚀刻液 RU-44 适合于亚微米光刻应用。如果需要快速蚀刻，铬-陶瓷蚀刻液 TFE 可以使用
铝刻蚀液TYPE-A标准铝蚀刻液用于硅器件和其他微电子应用
TYPE-D标准铝蚀刻液用于砷化镓、砷和磷化镓器件以及镍铬电阻上铝金属化膜的制作

TYPE-F铝蚀刻液F 型是一种稳定的蚀刻液，可用于在硅器件上及集成电路应用中蚀刻铝或铝-硅金属化膜。铝蚀刻液 F 型具有独特的性质可以很容易地克服许多在铝蚀刻时遇到的问题如金属残留等
印刷电路板铜蚀刻液TYPE-100用于浸没式蚀刻
TYPE-200用于喷雾蚀刻技术
APS-100用于薄膜和印刷电路板
TYPE-49-1铜蚀刻液 49-1 是一种高纯的、可控的蚀刻液，用于特殊微电子蚀刻如砷化镓或铜。铜蚀刻液 BTP 可进行快速蚀刻，同时保持了镍的相适性
BTP
钯蚀刻液TFP钯蚀刻液 TFP 设计用于溅射、蒸镀和非电镀沉积薄膜蚀刻高分辨图案轮廓，这些薄膜普遍用于硅片的镍和金的金属化薄膜的阻挡层
EC钯蚀刻液 EC 主要用于钯基板的高精细电化学蚀刻，合金如钯-银也可很容易蚀刻。电化学蚀刻可在基板材料上精细、准确地蚀刻
钛蚀刻液TFT设计用于蚀刻通常用做粘接和阻挡层的蒸镀膜，优异的分辨率、光刻胶相适性以及最小化的底切
TFTN主要用于蚀刻玻璃或二氧化硅基板上沉积的钛薄膜，不含氢氟酸
钛钨蚀刻液TiW-30钛钨蚀刻液TiW-30 适用于微电子制作中钛-钨粘接层的选择性蚀刻液，可有效地蚀刻沉积在氮化硅或二氧化硅表面的钛-钨薄膜，具有优异的蚀刻精度和蚀刻速度控制，与正负性光刻胶广泛的适应性
氧化铁掩膜版蚀刻液ME-10固体器件制作非常依靠使用光刻技术制备图案.  标准蚀刻液
ME-30固体器件制作非常依靠使用光刻技术制备图案.  节约成本的蚀刻液
钼蚀刻液TFM用于半导体和微电子技术的钼薄膜金属化层的选择性蚀刻液
光刻胶及显影液
品名型号规格包装规格单位备注
光刻胶1010250ml/瓶
500ml/瓶
1L/瓶		瓶
1040
1050
1060
1070
Microchem 光刻胶SU-8 5500ml/瓶
1L/瓶
4L/瓶		瓶现货
SU-8 50
SU-8 100
SU-8 2000.5
SU-8 2002
SU-8 2005
SU-8 2007
SU-8 2010
SU-8 2015
SU-8 2025
SU-8 2035
SU-8 2050
SU-8 2075
SU-8 2100
SU-8 2150
SU-8 3010
SU-8 3025
SU-8 3035
PMGI-SF3500ml/瓶瓶
PMGI-SF6
495PMMA A2500ml/瓶瓶
495PMMA A4500ml/瓶瓶
950PMMA A2500ml/瓶
1L/瓶		瓶
950PMMA A4500ml/瓶
1L/瓶
4L/瓶		瓶
950PMMA A5500ml/瓶
1L/瓶		瓶
950PMMA A6500ml/瓶
1L/瓶		瓶
KMPR1010500ml/瓶瓶
KMPR1025500ml/瓶
1L/瓶		瓶
KMPR1050500ml/瓶
1L/瓶		瓶
稀释剂SU-8 2000Thinner1L/瓶
1 加仑/瓶		瓶
增粘剂Omnicaot500ml/瓶
1L/瓶		瓶瓶
显影液MIBK/IPA 1:34L/瓶瓶
显影液SU-8 Dev1L/瓶瓶
去胶液remover PG4L/瓶瓶
DOW/Shipley 光刻胶SPR220-3加仑/瓶瓶
SPR220-71 加仑/瓶瓶
1L/瓶瓶
500ml/瓶瓶
250ml/瓶瓶
125ml/瓶瓶
60ml/瓶瓶
SPR955 0.71 加仑/瓶瓶
1L/瓶瓶
500ml/瓶瓶
250ml/瓶瓶

125ml/瓶瓶
60ml/瓶瓶
S1805G21 加仑/瓶瓶
1L/瓶瓶
500ml/瓶瓶
250ml/瓶瓶
125ml/瓶瓶
60ml/瓶瓶
S18131 加仑/瓶瓶
1L/瓶瓶
500ml/瓶瓶
250ml/瓶瓶
125ml/瓶瓶
60ml/瓶瓶
S1818G1 加仑/瓶瓶
500ml/瓶瓶
250ml/瓶瓶
125ml/瓶瓶
60ml/瓶瓶
LC100A-20CP加仑/瓶瓶
mcpr 2700 50cp加仑/瓶瓶
S9920G加仑/瓶瓶
显影液MF-3195L/瓶瓶
显影液MF-CD-2620L/瓶瓶
去胶液Microposit Remover 1165加仑/瓶瓶
稀释剂THINNER TYPE1 加仑/瓶瓶
增粘剂Primer500ml/瓶瓶
AZ 光刻胶AZ52141 加仑/瓶瓶现货
1L/瓶瓶
500ml/瓶瓶
250ml/瓶瓶
AZ61301 加仑/瓶瓶
250ml/瓶瓶
AZ46201 加仑/瓶加仑现货
1L/瓶瓶
750ml/瓶瓶
500ml/瓶瓶
250ml/瓶瓶
60ml/瓶瓶
AZ1500加仑/瓶瓶
AZ6112加仑/瓶瓶
AZ45625L/瓶瓶
AZ50XT夸脱/瓶瓶
AZ MIR 7011 加仑/瓶瓶
AZ MIR 7031 加仑/瓶瓶
AZnLOF2070加仑/瓶ml
显影液AZ300MIF Developer20L/桶桶
显影液AZ400K加仑/瓶瓶
去胶液AZ400T20L/桶桶
Futurrex 光刻胶SOG IC1-200250ml/瓶瓶
NR7-250P250ml/瓶瓶
NR7-250P夸脱/瓶瓶
NR76i-1500(PYNR77-1500PY)250ml/瓶瓶
NR26-25000P(NR21-2000P)250ml/瓶瓶
NR21-20000P4L/瓶瓶
NR7-1500PY250ml/瓶
1L/瓶		瓶瓶
NR9-1500PY夸脱/瓶瓶
NR9-1500PY32 盎司/瓶(美制=29.7ml)瓶
NR9-3000PY4L/瓶瓶
NR9-3000P32 盎司/瓶(美制=29.7ml)瓶
NR9-6000P250ml/瓶瓶
NR9-8000500ml/瓶瓶
NR9-80001L/瓶瓶
PR1-1000A1250ml/瓶瓶
显影液Resist Developer RD64L/瓶瓶
去胶液Resist Remover RR414L/瓶瓶
光刻胶Durimede 115A250g/瓶瓶
Durimede 116A250g/瓶瓶
FB5410250ml/瓶瓶
PI 7505250ml/瓶瓶
PI 7510250ml/瓶瓶
LTC 9510250ml/瓶瓶
显影液HTR-D24L/瓶瓶
漂洗液RER 6004L/瓶瓶
Micoresist 光刻胶OrmoComp100g/瓶瓶
MINS-301RM200g/瓶瓶
ma-N405250ml/瓶瓶
ma-N440250ml/瓶瓶
ma-D332/S2.5L/瓶瓶
显影液ma-D5252.5L/瓶瓶
显影液ma-D5255L/瓶瓶
去胶液mr-Rem6602.5L/瓶瓶
光刻胶BCB-3022-350.8kg/瓶瓶
光刻胶BCB-3022-460.8kg/瓶瓶
增粘剂AP30003.48kg/瓶瓶
增粘剂AP80003.48kg/瓶瓶
光刻胶TDMR-AR801 加仑/瓶瓶
光刻胶KXN5735-L01 加仑/瓶瓶
500ml/瓶瓶
250ml/瓶瓶
125ml/瓶瓶
60ml/瓶瓶
40ml/瓶瓶
光刻胶AP-P3250250ml/瓶瓶
AP 300-261L/瓶瓶
光刻胶FOX-16125ml/瓶瓶
负性电子束光刻胶XR-1541-002125ml/瓶瓶
负性电子束光刻胶XR-1541-004125ml/瓶瓶
负性电子束光刻胶XR-1541-006125ml/瓶瓶
正性电子束光刻胶RE300.20.5100g/瓶瓶
正性电子束光刻胶RE300.7.4100g/瓶瓶
正性电子束光刻胶RE300.7.5100g/瓶瓶
正性电子束光刻胶RE300.40.5100ml/瓶瓶
RE300.95.3100ml/瓶瓶
RE300.95.5100ml/瓶瓶
正性电子束光刻胶PMMA 950K100g/瓶瓶
正性电子束光刻胶PMMA 700K100g/瓶瓶
电子束光刻胶ZEP520（RDZ）100ml/瓶瓶
ZEP520A（RDZ）夸脱/瓶瓶
10ml/瓶瓶
30ml/瓶瓶
50ml/瓶瓶
100ml/瓶瓶
显影液ZED-N50（ZD）加仑/瓶瓶
去胶液ZDMAC(ZC)加仑/瓶瓶
显影液TMAH 25%4L/瓶瓶
稀释剂PGMEA4L/瓶瓶
去胶液NMP4L/瓶瓶
增粘剂HMDS500ml/瓶瓶
硅胶PDMS1.1kg套

MEMS微纳加工

我司可根据客户要求定制微米及纳米掩模板及压印模板，基底可为硅基 金属基及 PDMS 软模板

了解更多 查看详情

MEMS器件

微纳模板加工，PDMS，PMMA，SI，特别推荐耐用的金属模板

了解更多 查看详情
MEMS微纳加工
MEMS器件

合作伙伴

新闻动态

更多新闻