光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。瀚宸掌握接触式光刻、步进式光刻、电子束光刻等多种光刻技术。
应用材料 | ·硅片,玻璃,蓝宝石,柔性材料等 |
光刻加工工艺 | ·接触式光刻 最小图形尺寸:1μm,套刻精度:±0.5μm |
·步进式光刻 投影比例1:5,最小图形尺寸:0.35μm ,套刻精度≤0.15μm(X,Y),曝光范围 22*22mm | |
·电子束光刻 最小图形尺寸:10nm,套刻精度:40nm,曝光范围 < 直径100mm |