掺杂是将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状，可用来改变晶片电学性质，实现器件和电路纵向结构。包含扩散、离子注入等方式。高温扩散是利用高温驱动杂质穿过硅晶体结构。离子注入是通过高温离子轰击，使杂质注入硅片，杂质通过与硅片发生原子级的高能碰撞，才能被注入。