通常在晶片封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度，这一工艺过程称之为晶片减薄。在后道制程阶段，晶圆（正面已布好电路的硅片）在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄加工以降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及减小划片的加工量。