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刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，它是通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称。刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。瀚宸掌握离子束刻蚀（IBE）、深硅刻蚀（DRIE）、反应离子刻蚀（RIE）、聚焦离子束刻蚀（FIB）、电感耦合（ICP）等离子刻蚀等多种刻蚀方式。
| 刻蚀化药 | ·碱性 1μm，套刻精度：±0.5μm：KOH，TMAH |
| ·酸性 ±0.5μm：HF，BOE，HCI，HNO3等 | |
| 刻蚀材料 | ·硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料 |
| 刻蚀技术 | ·离子束刻蚀（IBE） 用于较难刻蚀的金属或其他物质 |
| ·深硅刻蚀（DRIE） 刻蚀均匀性<±5%，选择比＞50:1 | |
| ·反应离子刻蚀（RIE） 刻蚀Si，SiO₂，SiNx等 | |
| ·聚焦离子束刻蚀（FIB） 可对材料和器件进行刻蚀、沉积、掺杂等微纳加工 | |
| ·电感耦合（ICP）等离子刻蚀 刻蚀GaN，GaAs，InP等材料 |