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晶体结构面心立方熔点1420°密度2.4g/cm3晶型N/P/本征晶向<100>，<110>,<111>电阻率0.001-0.1Ω.cm，0.1-1Ω.cm，1-10Ω.cm，10-50Ω.cm，&nb
生长方法提拉法晶体结构立方密度5.323g/cm3熔点937.4°掺杂物质不掺杂 掺Sb掺In或Ga类型N/P电阻率0.05Ω.cm 0.05-0.1Ω.cm＞35 Ω.cm尺寸直径：2英寸 ，3英寸，4英寸厚度：0.5mm，1mm，2mm晶相<100>,<110
晶体结构六方晶系熔点2040°密度3.98g/cm3晶型A R M C晶向<11-20>，<1-102>,<10-10><0001>热导率0.055（23℃）0.040（77℃）热膨胀系数7.5*10-6介电常数9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K atC axis尺寸10×3,10×5，10×10,15×15，20×15，20×20，可按照客户需求定制特殊尺寸
晶体取向C-axis(0001) ± 0.5°导电类型N型电阻率< 0.5 Ω·cm位错密度Less than 5x106 cm-2有效面积大于90%尺寸10×10.5，14*15，厚度：300,350,400um可按照客户需求定制特殊尺寸基片抛光Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polishedBack Surface: Fine ground包装Packaged in a&n
产品名称尺寸晶向LAST晶片5*5*0.5mm/10*10*0.5mm等<100>PMN-PT晶片5*5*0.5mm等<100>SGGG晶片5*5*0.5mm等<111>YAP晶片5*5*0.5mm/10*10*0.5mm等<100>YSZ晶片10*10*0.5mm/φ2”等<100><110><111>掺铌钛酸锶晶片10*10*0.5mm等<100><110><111>掺铈YAG晶片10*10*0.5
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